Механические дефекты, формирующиеся при изготовлении и работе высокотемпературных сверхпроводящих джозефсоновских переходов (ВТСП ДП) в условиях интенсивных термомеханических и электромагнитных воздействий, могут привести к понижению эффективной сверхпроводящей площади образца по сравнению с геометрической, а также к большим разбросам измеряемых параметров. Представлены некоторые модели повреждений, характерных для ВТСП ДП типа SIS и SNS, где S — сверхпроводник, I — изолятор, N — металл. Основываясь на существовании интерфейсов, обсуждаются соответствующие механизмы разрушения и оцениваются параметры прочности и трещиностойкости. Численные результаты получены в зависимости от мод нагружения, геометрии интерфейсов и характерных механизмов сопротивления разрушению. Представленные модели могут быть полезны для описания поведения других видов ВТСП композитов. Полученные результаты могут быть использованы для разработки и создания сверхпроводящих устройств и ВТСП систем.